You are using an outdated browser. For a faster, safer browsing experience, upgrade for free today.<
  1. Главная
  2. BLU Studio G LTE или Lava Flair E2

BLU Studio G LTE или Lava Flair E2: сравнение характеристик

Сравнение записанных характеристик, размеров и существенных различий.

+ Добавить третий телефон

    Ключевые различия

    Рассчитаны по записанным характеристикам с порогами значимых различий. Это не общий рейтинг. Для трёх телефонов числовые подсказки сравнивают крайние значения.

    • Ширина

      Flair E2: уже на 11 мм

      Studio G LTE:
      72 мм
      Flair E2:
      61 мм

    • Диагональ экрана

      Flair E2: диагональ меньше на 1,5 дюйма

      Studio G LTE:
      5 дюйма
      Flair E2:
      3,5 дюйма

    • Толщина

      Studio G LTE: тоньше на 3,1 мм

      Studio G LTE:
      8,9 мм
      Flair E2:
      12 мм

    • Высота

      Flair E2: ниже на 30 мм

      Studio G LTE:
      143 мм
      Flair E2:
      113 мм

    Размеры корпуса

    Относительные размеры, а не реальный размер на экране. Виды спереди и сбоку имеют единый масштаб и выровнены по нижнему краю. Условные контуры построены по размерам корпуса без выступов камер.

    1. 1. Studio G LTE

      Высота:
      143 мм +30 мм относительно Flair E2
      Ширина:
      72 мм +11 мм относительно Flair E2
      Толщина:
      8,9 мм
      Вес:
      149 г

    2. 2. Flair E2

      Высота:
      113 мм
      Ширина:
      61 мм
      Толщина:
      12 мм +3,1 мм относительно Studio G LTE
      Вес:
      Неизвестно

    Размер экрана

    Приблизительные прямоугольники экранов рассчитаны по записанной диагонали и соотношению сторон в едином относительном масштабе. Скругления и вырезы не вычитаются. Это не контуры корпусов и не откалиброванный натуральный размер.

    1. 1. Studio G LTE

      Диагональ экрана:
      5 дюйма
      Соотношение сторон (высота:ширина):
      16:9
      Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
      68,9 см²

    2. 2. Flair E2

      Диагональ экрана:
      3,5 дюйма
      Соотношение сторон (высота:ширина):
      3:2
      Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
      36,5 см²

    Прямоугольная площадь экрана у Studio G LTE приблизительно на 88,9% больше, чем у Flair E2.

    Варианты памяти

    В каждой строке сравнивается одинаковый объем накопителя. В ячейках указаны записанные варианты ОЗУ, а не сумма максимальных значений. «Не указано» не означает отсутствие варианта на всех рынках.

    Записанная ОЗУ для Studio G LTE, Flair E2 при одинаковом объёме накопителя.
    НакопительStudio G LTEFlair E2
    8 ГБ 1 ГБ ОЗУ Неизвестно
    Flair E2: Исходная запись о памяти

    512 MB · 256 MB RAM

    Полезные функции

    Явные значения «Да» и «Нет» показаны напрямую. Уточнения и региональные ограничения сохранены. «Неизвестно» означает отсутствие записи.

    1. Studio G LTE

    NFC:
    Неизвестно
    Разъем наушников:
    Да
    Поддержка карт памяти:
    См. подробности microSD · up to 64 GB

    2. Flair E2

    NFC:
    Неизвестно
    Разъем наушников:
    Да
    Поддержка карт памяти:
    См. подробности microSD · up to 16 GB

    Емкость аккумулятора

    Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.

    Записанная ёмкость аккумулятора

    Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

    1. 1. Studio G LTE

      2500 мА·ч

      +1100 мА·ч относительно Flair E2

    2. 2. Flair E2

      1400 мА·ч

    Характеристики

    Раскройте раздел для подробностей. На узком экране прокручивайте вбок или используйте стрелки влево/вправо при фокусе на таблице. «Неизвестно» означает отсутствие данных, а не «Нет». Нули показаны как в записи.

    1. Studio G LTE2. Flair E2

    Основные характеристики
    Основные характеристики — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    Размеры (ВхШхГ)
    • 143 Х 72 Х 8.9 mm
    • 113 Х 61 Х 12 mm
    Вес
    • 149 g
    • 0 g
    Технология
    • IPS LCD
    • TFT
    Размер экрана
    • 5" inch
    • 3.5" inch
    Разрешение экрана
    • 480 x 854 px
    • 320 x 480 px
    Встроенная память Записанные варианты накопителя / ОЗУ. Это альтернативные конфигурации, а не общий максимум. Неоднозначные форматы оставлены как в записи.
    • 8 GB
    • 1 GB RAM
    • 512 MB
    • 256 MB RAM
    Поддержка карт памяти
    • microSD
    • up to 64 GB
    • microSD
    • up to 16 GB
    Батарея Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.
    • 2500 mAh
    • Non-removable Li-Po
    • 1400 mAh
    • Removable Li-Ion
    Операционная система
    • Android 5.1 (Lollipop)
    • Android 4.4 (KitKat)
    Чипсет
    • Qualcomm MSM8909 Snapdragon 210 (28 nm)
    		 Неизвестно
    Разъем 3.5 mm jack
    • Да
    • Да
    Дисплей
    Дисплей — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    Сенсорный экран
    • capacitive touchscreen
    • capacitive touchscreen
    Тип экрана
    • 16M
    		 Неизвестно
    Площадь экрана
    • 68.9 cm2
    • 36.5 cm2
    Формат экрана
    • 16:9 (height:width)
    • 3:2 (height:width)
    Экран/корпус
    • 66.9%
    • 52.9%
    PPI /точек на дюйм/
    • 196 PPI
    • 165 PPI
    Камера и видео
    Камера и видео — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    Задняя камера, основная
    • 5 MP
    • Single
    • 2 MP
    • Single
    Хар-ки камеры
    • 5 MP
    • AF
    • 2 MP
    Функции
    • LED flash
    • LED flash
    Видео
    • 720p@30fps
    • Да
    Передняя камера
    • 2 MP
    • Single
    • 0.3 MP
    • Single
    Спецификация
    • 2 MP
    • VGA
    Производительность и комплектующие
    Производительность и комплектующие — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    Процессор
    • Quad-core 1.1 GHz Cortex-A7
    • 1.0 GHz
    Граф. процессор
    • Adreno 304
    		 Неизвестно
    Общие характеристики
    Общие характеристики — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    Дата выпуска
    • 2015
    • October
    • 2015
    • September
    Цвет
    • Black
    • Black
    • White
    Время работы батареи
    • Stand by time- Up to 825 h (2G) / Up to 725 h (3G) Talking time- Up to 26 h (2G) / Up to 16 h (3G)
    		 Неизвестно
    Связь и подключения
    Связь и подключения — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    SIM карта
    • Dual SIM (Micro-SIM
    • dual stand-by)
    • Dual SIM
    Сеть
    • Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 - SIM 1 & SIM 2 -3G - HSDPA 850 / 1700(AWS) / 1900 / 2100 -4G - LTE band 4(1700/2100)
    • 7(2600)
    • 17(700)
    • Show all network frequencies: -2G - GSM 900 / 1800 - SIM 1 & SIM 2
    Скорость
    • HSPA 21.1/5.76 Mbps
    • LTE Cat4 150/50 Mbps
    • HSPA
    GPRS
    • Да
    • Да
    Edge
    • Да
    • Нет
    Wi-Fi
    • Wi-Fi 802.11 b/g/n
    • Wi-Fi Direct
    • hotspot
    • Wi-Fi 802.11 b/g/n
    GPS
    • Да
    • with A-GPS
    • Нет
    USB
    • microUSB 2.0
    • microUSB 2.0
    Bluetooth
    • 4.0
    • A2DP
    • 2.1
    • EDR
    Музыка и аудио
    Музыка и аудио — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    Радио
    • Stereo FM radio
    • FM radio
    Другие особенности
    Другие особенности — характеристики Studio G LTE, Flair E2.
    ХарактеристикаStudio G LTEFlair E2
    Доп.
    • Sensors Accelerometer
    • gyro
    • proximity
    • compass
    • Sensors Accelerometer For India