BLU Studio G LTE или QMobile Noir E8: сравнение характеристик

Сравнение записанных характеристик, размеров и существенных различий.

QMobile Noir E8

Заменить

Найти телефон 2

Убрать

+ Добавить третий телефон

Найти телефон 3

JavaScript включает поиск телефонов и переключение видов. Записанные характеристики доступны ниже. Открыть каталог

Ключевые различия

Рассчитаны по записанным характеристикам с порогами значимых различий. Это не общий рейтинг. Для трёх телефонов числовые подсказки сравнивают крайние значения.

Технология экрана

OLED и LCD

Studio G LTE:

LCD

Noir E8:

OLED
Вес

Studio G LTE: легче на 61 г

Studio G LTE:

149 г

Noir E8:

210 г
Ширина

Studio G LTE: уже на 10,3 мм

Studio G LTE:

72 мм

Noir E8:

82,3 мм
Диагональ экрана

Studio G LTE: диагональ меньше на 1 дюйма

Studio G LTE:

5 дюйма

Noir E8:

6 дюйма
Чипсет

Studio G LTE:

Qualcomm MSM8909 Snapdragon 210 (28 nm)

Noir E8:

Mediatek MT6795 Helio X10 (28 nm)
Толщина

Studio G LTE: тоньше на 0,7 мм

Studio G LTE:

8,9 мм

Noir E8:

9,6 мм

Размеры корпуса

Относительные размеры, а не реальный размер на экране. Виды спереди и сбоку имеют единый масштаб и выровнены по нижнему краю. Условные контуры построены по размерам корпуса без выступов камер.

1. Studio G LTE

Высота:

143 мм
Ширина:

72 мм
Толщина:

8,9 мм
2. Noir E8

Высота:

164 мм +21 мм относительно Studio G LTE
Ширина:

82,3 мм +10,3 мм относительно Studio G LTE
Толщина:

9,6 мм +0,7 мм относительно Studio G LTE

Вес

Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

1. Studio G LTE

149 г
2. Noir E8

210 г

+61 г относительно Studio G LTE

Размер экрана

Приблизительные прямоугольники экранов рассчитаны по записанной диагонали и соотношению сторон в едином относительном масштабе. Скругления и вырезы не вычитаются. Это не контуры корпусов и не откалиброванный натуральный размер.

1. Studio G LTE

Диагональ экрана:

5 дюйма

Соотношение сторон (высота:ширина):

16:9

Приблизительная площадь прямоугольного экрана:

68,9 см²
2. Noir E8

Диагональ экрана:

6 дюйма

Соотношение сторон (высота:ширина):

16:9

Приблизительная площадь прямоугольного экрана:

99,2 см²

Прямоугольная площадь экрана у Noir E8 приблизительно на 44% больше, чем у Studio G LTE.

Варианты памяти

В каждой строке сравнивается одинаковый объем накопителя. В ячейках указаны записанные варианты ОЗУ, а не сумма максимальных значений. «Не указано» не означает отсутствие варианта на всех рынках.

Записанная ОЗУ для Studio G LTE, Noir E8 при одинаковом объёме накопителя.
Накопитель	Studio G LTE	Noir E8
8 ГБ	1 ГБ ОЗУ	Не указано
64 ГБ	Не указано	3 ГБ ОЗУ

Полезные функции

Явные значения «Да» и «Нет» показаны напрямую. Уточнения и региональные ограничения сохранены. «Неизвестно» означает отсутствие записи.

1. Studio G LTE

NFC:: Неизвестно
Разъем наушников:: Да
Поддержка карт памяти:: См. подробности microSD · up to 64 GB

2. Noir E8

NFC:: Да
Разъем наушников:: Да
Поддержка карт памяти:: См. подробности microSD · up to 256 GB

Емкость аккумулятора

Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.

Записанная ёмкость аккумулятора

Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

1. Studio G LTE

2500 мА·ч
2. Noir E8

3500 мА·ч

+1000 мА·ч относительно Studio G LTE

Характеристики

Раскройте раздел для подробностей. На узком экране прокручивайте вбок или используйте стрелки влево/вправо при фокусе на таблице. «Неизвестно» означает отсутствие данных, а не «Нет». Нули показаны как в записи.

1. Studio G LTE2. Noir E8

Основные характеристики

Основные характеристики — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
Размеры (ВхШхГ)	143 Х 72 Х 8.9 mm	164 Х 82.3 Х 9.6 mm
Вес	149 g	210 g
Технология	IPS LCD	AMOLED
Размер экрана	5" inch	6" inch
Разрешение экрана	480 x 854 px	1440 x 2560 px
Встроенная память Записанные варианты накопителя / ОЗУ. Это альтернативные конфигурации, а не общий максимум. Неоднозначные форматы оставлены как в записи.	8 GB 1 GB RAM	64 GB 3 GB RAM
Поддержка карт памяти	microSD up to 64 GB	microSD up to 256 GB
Батарея Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.	2500 mAh Non-removable Li-Po	3500 mAh Non-removable Li-Po
Операционная система	Android 5.1 (Lollipop)	Android 5.1 (Lollipop); Amigo 3.1
Чипсет	Qualcomm MSM8909 Snapdragon 210 (28 nm)	Mediatek MT6795 Helio X10 (28 nm)
NFC	Неизвестно	Да
Разъем 3.5 mm jack	Да	Да

Дисплей

Дисплей — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
Сенсорный экран	capacitive touchscreen	capacitive touchscreen
Тип экрана	16M	16M
Площадь экрана	68.9 cm2	99.2 cm2
Формат экрана	16:9 (height:width)	16:9 (height:width)
Экран/корпус	66.9%	73.5%
PPI /точек на дюйм/	196 PPI	490 PPI

Камера и видео

Камера и видео — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
Задняя камера, основная	5 MP Single	24 MP Single
Хар-ки камеры	5 MP AF	24 MP 1/2.3'' OIS PDAF
Функции	LED flash	Dual-LED dual-tone flash panorama HDR
Видео	720p@30fps	2160p@30fps
Передняя камера	2 MP Single	8 MP Single
Спецификация	2 MP	8 MP AF

Производительность и комплектующие

Производительность и комплектующие — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
Процессор	Quad-core 1.1 GHz Cortex-A7	Octa-core 2.0 GHz Cortex-A53
Граф. процессор	Adreno 304	PowerVR G6200

Общие характеристики

Общие характеристики — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
Дата выпуска	2015 October	2015 November
Цвет	Black	Black Gold
Историческая цена в каталоге Старая запись, дата неизвестна. Не является текущим предложением.	Неизвестно	400 EUR
Время работы батареи	Stand by time- Up to 825 h (2G) / Up to 725 h (3G) Talking time- Up to 26 h (2G) / Up to 16 h (3G)	Stand by time- Up to 437 h (2G) / Up to 500 h (3G) Talking time- Up to 39 h (2G) / Up to 20 h (3G)

Связь и подключения

Связь и подключения — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
SIM карта	Dual SIM (Micro-SIM dual stand-by)	Dual SIM (Micro-SIM dual stand-by)
Сеть	Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 - SIM 1 & SIM 2 -3G - HSDPA 850 / 1700(AWS) / 1900 / 2100 -4G - LTE band 4(1700/2100) 7(2600) 17(700)	Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 - SIM 1 & SIM 2 -3G - HSDPA 900 / 1900 / 2100 -4G - LTE band 1(2100) 3(1800) 7(2600) 20(800) 38(2600) 39(1900) 40(2300) 41(2500)
Скорость	HSPA 21.1/5.76 Mbps LTE Cat4 150/50 Mbps	HSPA 42.2/5.76 Mbps LTE Cat4 150/50 Mbps
GPRS	Да	Да
Edge	Да	Да
Wi-Fi	Wi-Fi 802.11 b/g/n Wi-Fi Direct hotspot	Wi-Fi 802.11 a/b/g/n/ac dual-band Wi-Fi Direct hotspot
GPS	Да with A-GPS	Да with A-GPS
USB	microUSB 2.0	microUSB 2.0 USB Host
Bluetooth	4.0 A2DP	4.0 A2DP EDR

Музыка и аудио

Музыка и аудио — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
Радио	Stereo FM radio	FM radio recording
Другое	Неизвестно	24-bit/192kHz audio -Active noise cancellation with dedicated mic

Другие особенности

Другие особенности — характеристики Studio G LTE, Noir E8.
Характеристика	Studio G LTE	Noir E8
Доп.	Sensors Accelerometer gyro proximity compass	Sensors Fingerprint (rear-mounted) accelerometer gyro proximity compass

BLU Studio G LTE или QMobile Noir E8: сравнение характеристик

BLU Studio G LTE

QMobile Noir E8

Ключевые различия

Технология экрана

Вес

Ширина

Диагональ экрана

Чипсет

Толщина

Размеры корпуса

1. Studio G LTE

2. Noir E8

Вес

1. Studio G LTE

2. Noir E8

Размер экрана

1. Studio G LTE

2. Noir E8

Варианты памяти

Полезные функции

1. Studio G LTE

2. Noir E8

Емкость аккумулятора

Записанная ёмкость аккумулятора

1. Studio G LTE

2. Noir E8

Характеристики