You are using an outdated browser. For a faster, safer browsing experience, upgrade for free today.<

BLU Studio Mini LTE или Pantech Burst: сравнение характеристик

Сравнение записанных характеристик, размеров и существенных различий.

BLU Studio Mini LTE

BLU Studio Mini LTE

Заменить Studio Mini LTE
Убрать Studio Mini LTE
Pantech Burst

Pantech Burst

Заменить Burst
Убрать Burst
+ Добавить третий телефон

Ключевые различия

Рассчитаны по записанным характеристикам с порогами значимых различий. Это не общий рейтинг. Для трёх телефонов числовые подсказки сравнивают крайние значения.

  • Технология экрана

    OLED и LCD

    Studio Mini LTE:
    LCD
    Burst:
    OLED
  • Вес

    Burst: легче на 22,5 г

    Studio Mini LTE:
    145 г
    Burst:
    122,5 г
  • Ширина

    Burst: уже на 4,9 мм

    Studio Mini LTE:
    67,4 мм
    Burst:
    62,5 мм
  • Диагональ экрана

    Burst: диагональ меньше на 0,5 дюйма

    Studio Mini LTE:
    4,5 дюйма
    Burst:
    4 дюйма
  • Чипсет

    Studio Mini LTE:
    Qualcomm MSM8926 Snapdragon 400 (28 nm)
    Burst:
    Qualcomm MSM8660 Snapdragon S3
  • Толщина

    Studio Mini LTE: тоньше на 1,4 мм

    Studio Mini LTE:
    10 мм
    Burst:
    11,4 мм

Размеры корпуса

Относительные размеры, а не реальный размер на экране. Виды спереди и сбоку имеют единый масштаб и выровнены по нижнему краю. Условные контуры построены по размерам корпуса без выступов камер.

  1. 1. Studio Mini LTE

    Высота:
    137,1 мм +10,6 мм относительно Burst
    Ширина:
    67,4 мм +4,9 мм относительно Burst
    Толщина:
    10 мм
  2. 2. Burst

    Высота:
    126,5 мм
    Ширина:
    62,5 мм
    Толщина:
    11,4 мм +1,4 мм относительно Studio Mini LTE

Вес

Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

  1. 1. Studio Mini LTE

    145 г

    +22,5 г относительно Burst

  2. 2. Burst

    122,5 г

Размер экрана

Приблизительные прямоугольники экранов рассчитаны по записанной диагонали и соотношению сторон в едином относительном масштабе. Скругления и вырезы не вычитаются. Это не контуры корпусов и не откалиброванный натуральный размер.

  1. 1. Studio Mini LTE

    Диагональ экрана:
    4,5 дюйма
    Соотношение сторон (высота:ширина):
    16:9
    Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
    55,8 см²
  2. 2. Burst

    Диагональ экрана:
    4 дюйма
    Соотношение сторон (высота:ширина):
    5:3
    Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
    45,5 см²

Прямоугольная площадь экрана у Studio Mini LTE приблизительно на 22,6% больше, чем у Burst.

Варианты памяти

В каждой строке сравнивается одинаковый объем накопителя. В ячейках указаны записанные варианты ОЗУ, а не сумма максимальных значений. «Не указано» не означает отсутствие варианта на всех рынках.

Записанная ОЗУ для Studio Mini LTE, Burst при одинаковом объёме накопителя.
НакопительStudio Mini LTEBurst
4 ГБ 1 ГБ ОЗУ Не указано
16 ГБ Не указано 1 ГБ ОЗУ

Полезные функции

Явные значения «Да» и «Нет» показаны напрямую. Уточнения и региональные ограничения сохранены. «Неизвестно» означает отсутствие записи.

1. Studio Mini LTE

NFC:
Неизвестно
Разъем наушников:
Да
Поддержка карт памяти:
См. подробности microSD · up to 32 GB (dedicated slot)

2. Burst

NFC:
Неизвестно
Разъем наушников:
Да
Поддержка карт памяти:
См. подробности microSD · up to 32 GB (dedicated slot)

Емкость аккумулятора

Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.

Записанная ёмкость аккумулятора

Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

  1. 1. Studio Mini LTE

    1850 мА·ч

    +200 мА·ч относительно Burst

  2. 2. Burst

    1650 мА·ч

Характеристики

Раскройте раздел для подробностей. На узком экране прокручивайте вбок или используйте стрелки влево/вправо при фокусе на таблице. «Неизвестно» означает отсутствие данных, а не «Нет». Нули показаны как в записи.

1. Studio Mini LTE2. Burst

Основные характеристики
Основные характеристики — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
Размеры (ВхШхГ)
  • 137.1 Х 67.4 Х 10 mm
  • 126.5 Х 62.5 Х 11.4 mm
Вес
  • 145 g
  • 122.5 g
Технология
  • IPS LCD
  • Super AMOLED
Размер экрана
  • 4.5" inch
  • 4" inch
Разрешение экрана
  • 480 x 854 px
  • 480 x 800 px
Встроенная память Записанные варианты накопителя / ОЗУ. Это альтернативные конфигурации, а не общий максимум. Неоднозначные форматы оставлены как в записи.
  • 4 GB
  • 1 GB RAM
  • 16 GB
  • 1 GB RAM
Поддержка карт памяти
  • microSD
  • up to 32 GB (dedicated slot)
  • microSD
  • up to 32 GB (dedicated slot)
Батарея Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.
  • 1850 mAh
  • Removable Li-Ion
  • 1650 mAh
  • Removable Li-Ion
Операционная система
  • Android 4.3 (Jelly Bean)
  • Android 2.3.5 (Gingerbread)
  • upgradable to 4.0 (Ice Cream Sandwich)
Чипсет
  • Qualcomm MSM8926 Snapdragon 400 (28 nm)
  • Qualcomm MSM8660 Snapdragon S3
Разъем 3.5 mm jack
  • Да
  • Да
Дисплей
Дисплей — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
Сенсорный экран
  • capacitive touchscreen
  • capacitive touchscreen
Тип экрана
  • 16M
  • 256K
Площадь экрана
  • 55.8 cm2
  • 45.5 cm2
Формат экрана
  • 16:9 (height:width)
  • 5:3 (height:width)
Экран/корпус
  • 60.4%
  • 57.6%
PPI /точек на дюйм/
  • 218 PPI
  • 233 PPI
Камера и видео
Камера и видео — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
Задняя камера, основная
  • 5 MP
  • Single
  • 5 MP
  • Single
Хар-ки камеры
  • 5 MP
  • AF
  • 5 MP
  • AF
Функции
  • LED flash
  • panorama
  • LED flash
Видео
  • 1080p@30fps
  • 720p@30fps
Передняя камера
  • 0.3 MP
  • Single
  • 0.3 MP
  • Single
Спецификация
  • VGA
  • VGA
Производительность и комплектующие

Оценки, отмеченные *, взяты из старого каталога. Условия тестирования не указаны; новые испытания не подразумеваются.

Производительность и комплектующие — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
Процессор
  • Quad-core 1.2 GHz Cortex-A7
  • Dual-core 1.5 GHz Scorpion
Граф. процессор
  • Adreno 305
  • Adreno 220
Antutu 7 баллы *
  • 27345
Неизвестно
Общие характеристики
Общие характеристики — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
Дата выпуска
  • 2014
  • November
  • 2012
  • January
Цвет
  • White
  • Blue
  • Grey
  • Orange
  • Pink
  • Yellow
  • Titanium
  • Ruby Red
Историческая цена в каталоге Старая запись, дата неизвестна. Не является текущим предложением. Неизвестно
  • 270 EUR
Время работы батареи
  • Stand by time- Up to 900 h (2G) / Up to 750 h (3G) Talking time- Up to 24 h (2G) / Up to 15 h (3G)
  • Stand by time- Up to 240 h Talking time- Up to 4 h 30 min
Связь и подключения
Связь и подключения — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
SIM карта
  • Micro-SIM
  • Micro-SIM
Сеть
  • Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 -3G - HSDPA 850 / 1700 / 1900 / 2100 -4G - LTE band 4(1700/2100)
  • 7(2600)
  • 17(700)
  • Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 -3G - HSDPA 850 / 1900 / 2100 -4G - LTE band 4(1700/2100)
  • 17(700)
Скорость
  • HSPA 42.2/5.76 Mbps
  • LTE Cat4 150/50 Mbps
  • HSPA
  • LTE
GPRS
  • Да
  • Да
Edge
  • Да
  • Да
Wi-Fi
  • Wi-Fi 802.11 b/g/n
  • Wi-Fi Direct
  • hotspot
  • Wi-Fi 802.11 b/g/n
  • hotspot
GPS
  • Да
  • with A-GPS
  • Да
  • with A-GPS
USB
  • microUSB 2.0
  • microUSB 2.0
Bluetooth
  • 4.0
  • A2DP
  • 3.0
  • A2DP
Музыка и аудио
Музыка и аудио — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
Радио
  • Stereo FM radio
  • Нет
Другие особенности
Другие особенности — характеристики Studio Mini LTE, Burst.
ХарактеристикаStudio Mini LTEBurst
Доп.
  • Sensors Accelerometer
  • proximity
  • Sensors Accelerometer
  • proximity
  • compass - MP4/WMV/H.264 player -MP3/WAV/eAAC+ player -Organizer -Photo/video editor -Document viewer -Voice memo/dial -Predictive text input - For AT&T