BLU Studio Selfie LTE или Xiaomi Redmi 1S: сравнение характеристик

Сравнение записанных характеристик, размеров и существенных различий.

+ Добавить третий телефон

Ключевые различия

Рассчитаны по записанным характеристикам с порогами значимых различий. Это не общий рейтинг. Для трёх телефонов числовые подсказки сравнивают крайние значения.

  • Ширина

    Redmi 1S: уже на 3,9 мм

    Studio Selfie LTE:
    72,9 мм
    Redmi 1S:
    69 мм
  • Диагональ экрана

    Redmi 1S: диагональ меньше на 0,3 дюйма

    Studio Selfie LTE:
    5 дюйма
    Redmi 1S:
    4,7 дюйма
  • Чипсет

    Studio Selfie LTE:
    Qualcomm MSM8909 Snapdragon 210 (28 nm)
    Redmi 1S:
    Qualcomm MSM8228 Snapdragon 400 (28 nm)
  • Толщина

    Studio Selfie LTE: тоньше на 1,1 мм

    Studio Selfie LTE:
    8,8 мм
    Redmi 1S:
    9,9 мм
  • Высота

    Redmi 1S: ниже на 5,7 мм

    Studio Selfie LTE:
    142,7 мм
    Redmi 1S:
    137 мм
  • Год выпуска

    Studio Selfie LTE:
    2017
    Redmi 1S:
    2014

Размеры корпуса

Относительные размеры, а не реальный размер на экране. Виды спереди и сбоку имеют единый масштаб и выровнены по нижнему краю. Условные контуры построены по размерам корпуса без выступов камер.

  1. 1. Studio Selfie LTE

    Высота:
    142,7 мм +5,7 мм относительно Redmi 1S
    Ширина:
    72,9 мм +3,9 мм относительно Redmi 1S
    Толщина:
    8,8 мм
  2. 2. Redmi 1S

    Высота:
    137 мм
    Ширина:
    69 мм
    Толщина:
    9,9 мм +1,1 мм относительно Studio Selfie LTE

Вес

Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

  1. 1. Studio Selfie LTE

    155 г

  2. 2. Redmi 1S

    158 г

    +3 г относительно Studio Selfie LTE

Размер экрана

Приблизительные прямоугольники экранов рассчитаны по записанной диагонали и соотношению сторон в едином относительном масштабе. Скругления и вырезы не вычитаются. Это не контуры корпусов и не откалиброванный натуральный размер.

  1. 1. Studio Selfie LTE

    Диагональ экрана:
    5 дюйма
    Соотношение сторон (высота:ширина):
    16:9
    Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
    68,9 см²
  2. 2. Redmi 1S

    Диагональ экрана:
    4,7 дюйма
    Соотношение сторон (высота:ширина):
    16:9
    Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
    60,9 см²

Прямоугольная площадь экрана у Studio Selfie LTE приблизительно на 13,2% больше, чем у Redmi 1S.

Варианты памяти

В каждой строке сравнивается одинаковый объем накопителя. В ячейках указаны записанные варианты ОЗУ, а не сумма максимальных значений. «Не указано» не означает отсутствие варианта на всех рынках.

Записанная ОЗУ для Studio Selfie LTE, Redmi 1S при одинаковом объёме накопителя.
НакопительStudio Selfie LTERedmi 1S
8 ГБ Указано для всех телефонов 1 ГБ ОЗУ 1 ГБ ОЗУ

Полезные функции

Явные значения «Да» и «Нет» показаны напрямую. Уточнения и региональные ограничения сохранены. «Неизвестно» означает отсутствие записи.

1. Studio Selfie LTE

NFC:
Неизвестно
Разъем наушников:
Да
Поддержка карт памяти:
См. подробности microSD · up to 64 GB

2. Redmi 1S

NFC:
Неизвестно
Разъем наушников:
Да
Поддержка карт памяти:
См. подробности microSD · up to 64 GB (dedicated slot)

Емкость аккумулятора

Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.

Записанная ёмкость аккумулятора

Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

  1. 1. Studio Selfie LTE

    2000 мА·ч

  2. 2. Redmi 1S

    2000 мА·ч

Характеристики

Раскройте раздел для подробностей. На узком экране прокручивайте вбок или используйте стрелки влево/вправо при фокусе на таблице. «Неизвестно» означает отсутствие данных, а не «Нет». Нули показаны как в записи.

1. Studio Selfie LTE2. Redmi 1S

Основные характеристики
Основные характеристики — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
Размеры (ВхШхГ)
  • 142.7 Х 72.9 Х 8.8 mm
  • 137 Х 69 Х 9.9 mm
Вес
  • 155 g
  • 158 g
Технология
  • IPS LCD
  • IPS LCD
Размер экрана
  • 5" inch
  • 4.7" inch
Разрешение экрана
  • 480 x 854 px
  • 720 x 1280 px
Встроенная память Записанные варианты накопителя / ОЗУ. Это альтернативные конфигурации, а не общий максимум. Неоднозначные форматы оставлены как в записи.
  • 8 GB
  • 1 GB RAM
  • 8 GB
  • 1 GB RAM
Поддержка карт памяти
  • microSD
  • up to 64 GB
  • microSD
  • up to 64 GB (dedicated slot)
Батарея Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.
  • 2000 mAh
  • Removable Li-Po
  • 2000 mAh
  • Removable Li-Ion
Операционная система
  • Android 5.1 (Lollipop)
  • Android 4.3 (Jelly Bean)
  • upgradable to 4.4.4 (KitKat); MIUI 9.2
Чипсет
  • Qualcomm MSM8909 Snapdragon 210 (28 nm)
  • Qualcomm MSM8228 Snapdragon 400 (28 nm)
Разъем 3.5 mm jack
  • Да
  • Да
Дисплей
Дисплей — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
Сенсорный экран
  • capacitive touchscreen
  • capacitive touchscreen
Тип экрана
  • 16M
  • 16M
Площадь экрана
  • 68.9 cm2
  • 60.9 cm2
Формат экрана
  • 16:9 (height:width)
  • 16:9 (height:width)
Экран/корпус
  • 66.2%
  • 64.4%
PPI /точек на дюйм/
  • 196 PPI
  • 312 PPI
Защита экрана Неизвестно
  • Asahi Dragontrail Glass
Камера и видео
Камера и видео — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
Задняя камера, основная
  • 5 MP
  • Single
  • 8 MP
  • Single
Хар-ки камеры
  • 5 MP
  • AF
  • 8 MP
  • f/2.2
  • 1/3.2''
  • 1.4µm
  • AF
Функции
  • LED flash
  • LED flash
  • HDR
Видео
  • 720p@30fps
  • 720p@30fps
Передняя камера
  • 5 MP
  • Single
  • 1.6 MP
  • Single
Спецификация
  • 5 MP
  • 1.6 MP
Производительность и комплектующие

Оценки, отмеченные *, взяты из старого каталога. Условия тестирования не указаны; новые испытания не подразумеваются.

Производительность и комплектующие — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
Процессор
  • Quad-core 1.1 GHz Cortex-A7
  • Quad-core 1.6 GHz Cortex-A7
Граф. процессор
  • Adreno 304
  • Adreno 305
GeekBench 4 Single Core * Неизвестно
  • 485
GeekBench 4 Multi-Core * Неизвестно
  • 1264
GeekBench 4 RenderScript * Неизвестно
  • 2619
Общие характеристики
Общие характеристики — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
Дата выпуска
  • 2017
  • March
  • 2014
  • May
Цвет
  • Black
  • White
  • Black
  • Chinese Red
  • Metallic Gray/ blue
  • Green
  • yellow panels
Историческая цена в каталоге Старая запись, дата неизвестна. Не является текущим предложением. Неизвестно
  • 90 EUR
Время работы батареи
  • Stand by time- Up to 600 h (2G) / Up to 500 h (3G) Talking time- Up to 24 h (2G) / Up to 14 h (3G)
Неизвестно
Корпус Неизвестно
  • plastic body
Связь и подключения
Связь и подключения — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
SIM карта
  • Nano-SIM
  • Dual SIM (Mini-SIM
  • dual stand-by)
Сеть
  • Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 - SIM 1 & SIM 2 -3G - HSDPA 850 / 1700(AWS) / 1900 / 2100 -4G - LTE band 1(2100)
  • 2(1900)
  • 3(1800)
  • 4(1700/2100)
  • 7(2600)
  • 12(700)
  • 17(700)
  • 20(800)
  • Show all network frequencies: -2G - GSM 900 / 1800 / 1900
Скорость
  • HSPA 42.2/11.5 Mbps
  • LTE Cat4 150/50 Mbps
  • HSPA
GPRS
  • Да
  • Да
Edge
  • Да
  • Да
Wi-Fi
  • Wi-Fi 802.11 b/g/n
  • hotspot
  • Wi-Fi 802.11 b/g/n
  • Wi-Fi Direct
  • hotspot
GPS
  • Да
  • with A-GPS
  • Да
  • with A-GPS
  • GLONASS
USB
  • microUSB 2.0
  • microUSB 2.0
  • USB Host
Bluetooth
  • 4.0
  • A2DP
  • 4.0
  • A2DP
  • LE
Музыка и аудио
Музыка и аудио — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
Радио
  • FM radio
  • FM radio
Другое Неизвестно
  • Active noise cancellation with dedicated mic
Другие особенности
Другие особенности — характеристики Studio Selfie LTE, Redmi 1S.
ХарактеристикаStudio Selfie LTERedmi 1S
Доп.
  • Sensors Accelerometer
  • proximity
  • Sensors Accelerometer
  • gyro
  • proximity
  • compass - Also known as Xiaomi Hongmi 1S