HTC Desire 520 или Samsung I8530 Galaxy Beam: сравнение характеристик

Сравнение записанных характеристик, размеров и существенных различий.

+ Добавить третий телефон

Ключевые различия

Рассчитаны по записанным характеристикам с порогами значимых различий. Это не общий рейтинг. Для трёх телефонов числовые подсказки сравнивают крайние значения.

  • Ширина

    I8530 Galaxy Beam: уже на 4,7 мм

    Desire 520:
    68,9 мм
    I8530 Galaxy Beam:
    64,2 мм
  • Диагональ экрана

    I8530 Galaxy Beam: диагональ меньше на 0,5 дюйма

    Desire 520:
    4,5 дюйма
    I8530 Galaxy Beam:
    4 дюйма
  • Толщина

    Desire 520: тоньше на 3,4 мм

    Desire 520:
    9,1 мм
    I8530 Galaxy Beam:
    12,5 мм
  • Высота

    I8530 Galaxy Beam: ниже на 15,8 мм

    Desire 520:
    139,8 мм
    I8530 Galaxy Beam:
    124 мм
  • Год выпуска

    Desire 520:
    2015
    I8530 Galaxy Beam:
    2012

Размеры корпуса

Относительные размеры, а не реальный размер на экране. Виды спереди и сбоку имеют единый масштаб и выровнены по нижнему краю. Условные контуры построены по размерам корпуса без выступов камер.

  1. 1. Desire 520

    Высота:
    139,8 мм +15,8 мм относительно I8530 Galaxy Beam
    Ширина:
    68,9 мм +4,7 мм относительно I8530 Galaxy Beam
    Толщина:
    9,1 мм
    Вес:
    Неизвестно
  2. 2. I8530 Galaxy Beam

    Высота:
    124 мм
    Ширина:
    64,2 мм
    Толщина:
    12,5 мм +3,4 мм относительно Desire 520
    Вес:
    145,3 г

Размер экрана

Приблизительные прямоугольники экранов рассчитаны по записанной диагонали и соотношению сторон в едином относительном масштабе. Скругления и вырезы не вычитаются. Это не контуры корпусов и не откалиброванный натуральный размер.

  1. 1. Desire 520

    Диагональ экрана:
    4,5 дюйма
    Соотношение сторон (высота:ширина):
    16:9
    Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
    55,8 см²
  2. 2. I8530 Galaxy Beam

    Диагональ экрана:
    4 дюйма
    Соотношение сторон (высота:ширина):
    5:3
    Приблизительная площадь прямоугольного экрана:
    45,5 см²

Прямоугольная площадь экрана у Desire 520 приблизительно на 22,6% больше, чем у I8530 Galaxy Beam.

Варианты памяти

В каждой строке сравнивается одинаковый объем накопителя. В ячейках указаны записанные варианты ОЗУ, а не сумма максимальных значений. «Не указано» не означает отсутствие варианта на всех рынках.

Записанная ОЗУ для Desire 520, I8530 Galaxy Beam при одинаковом объёме накопителя.
НакопительDesire 520I8530 Galaxy Beam
8 ГБ 1 ГБ ОЗУ Неизвестно
I8530 Galaxy Beam: Исходная запись о памяти

8 GB · 768 MB RAM

Полезные функции

Явные значения «Да» и «Нет» показаны напрямую. Уточнения и региональные ограничения сохранены. «Неизвестно» означает отсутствие записи.

1. Desire 520

NFC:
Неизвестно
Разъем наушников:
Да
Поддержка карт памяти:
См. подробности microSD · up to 256 GB (dedicated slot)

2. I8530 Galaxy Beam

NFC:
Неизвестно
Разъем наушников:
Да
Поддержка карт памяти:
См. подробности microSD · up to 32 GB (dedicated slot)

Емкость аккумулятора

Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.

Записанная ёмкость аккумулятора

Столбцы начинаются с нуля; масштаб внутри графика одинаковый.

  1. 1. Desire 520

    2000 мА·ч

  2. 2. I8530 Galaxy Beam

    2000 мА·ч

Характеристики

Раскройте раздел для подробностей. На узком экране прокручивайте вбок или используйте стрелки влево/вправо при фокусе на таблице. «Неизвестно» означает отсутствие данных, а не «Нет». Нули показаны как в записи.

1. Desire 5202. I8530 Galaxy Beam

Основные характеристики
Основные характеристики — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
Размеры (ВхШхГ)
  • 139.8 Х 68.9 Х 9.1 mm
  • 124 Х 64.2 Х 12.5 mm
Вес
  • 0 g
  • 145.3 g
Технология Неизвестно
  • TFT
Размер экрана
  • 4.5" inch
  • 4" inch
Разрешение экрана
  • 480 x 854 px
  • 480 x 800 px
Встроенная память Записанные варианты накопителя / ОЗУ. Это альтернативные конфигурации, а не общий максимум. Неоднозначные форматы оставлены как в записи.
  • 8 GB
  • 1 GB RAM
  • 8 GB
  • 768 MB RAM
Поддержка карт памяти
  • microSD
  • up to 256 GB (dedicated slot)
  • microSD
  • up to 32 GB (dedicated slot)
Батарея Ёмкость не равна времени работы. Испытания автономности не подразумеваются.
  • 2000 mAh
  • Removable Li-Ion
  • 2000 mAh
  • Removable Li-Ion
Операционная система
  • Android 5.1 (Lollipop); Sense 7 UI
  • Android 2.3.6 (Gingerbread)
  • upgradable to 4.1 (Jelly Bean); TouchWiz UI 4
Чипсет
  • Qualcomm MSM8909 Snapdragon 210 (28 nm)
  • NovaThor U8500
Разъем 3.5 mm jack
  • Да
  • Да
Дисплей
Дисплей — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
Сенсорный экран
  • capacitive touchscreen
  • capacitive touchscreen
Тип экрана
  • 16M
  • 16M
Площадь экрана
  • 55.8 cm2
  • 45.5 cm2
Формат экрана
  • 16:9 (height:width)
  • 5:3 (height:width)
Экран/корпус
  • 57.9%
  • 57.2%
PPI /точек на дюйм/
  • 218 PPI
  • 233 PPI
Камера и видео
Камера и видео — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
Задняя камера, основная
  • 8 MP
  • Single
  • 5 MP
  • Single
Хар-ки камеры
  • 8 MP
  • AF
  • 5 MP
  • AF
Функции
  • LED flash
  • LED flash
Видео
  • 720p
  • 720p@30fps
Передняя камера
  • 2 MP
  • Single
  • 1.3 MP
  • Single
Спецификация
  • 2 MP
  • 1.3 MP
Производительность и комплектующие

Оценки, отмеченные *, взяты из старого каталога. Условия тестирования не указаны; новые испытания не подразумеваются.

Производительность и комплектующие — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
Процессор
  • Quad-core 1.1 GHz Cortex-A7
  • Dual-core 1.0 GHz Cortex-A9
Граф. процессор
  • Adreno 304
  • Mali-400
Antutu 7 баллы * Неизвестно
  • 2000
GeekBench 4 Single Core *
  • 307
Неизвестно
GeekBench 4 Multi-Core *
  • 563
Неизвестно
Общие характеристики
Общие характеристики — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
Дата выпуска
  • 2015
  • August
  • 2012
  • February
Цвет
  • Slate Gray
  • Black
Историческая цена в каталоге Старая запись, дата неизвестна. Не является текущим предложением. Неизвестно
  • 240 EUR
Время работы батареи Неизвестно
  • Stand by time- Up to 760 h (2G) / Up to 760 h (3G) Talking time- Up to 20 h (2G) / Up to 9 h 40 min (3G)
Связь и подключения
Связь и подключения — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
SIM карта
  • Nano-SIM
  • Mini-SIM
Сеть
  • Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900 -3G - HSDPA 850 / 1900 -4G - LTE band 2(1900)
  • 4(1700/2100)
  • 5(850)
  • 17(700)
  • Show all network frequencies: -2G - GSM 850 / 900 / 1800 / 1900
Скорость
  • HSPA
  • LTE
  • HSPA 14.4/5.76 Mbps
GPRS
  • Да
  • Class 12
Edge
  • Да
  • Class 12
Wi-Fi
  • Wi-Fi 802.11 b/g/n
  • hotspot
  • Wi-Fi 802.11 b/g/n
  • DLNA
  • hotspot
GPS
  • Да
  • with A-GPS
  • GLONASS
  • Да
  • with A-GPS
USB
  • microUSB 2.0
  • microUSB 2.0
Bluetooth
  • 4.1
  • A2DP
  • 3.0
  • A2DP
Вредное облучение Неизвестно
  • SAR - 0.36 W/kg (head) 0.78 W/kg (body) SAR EU - 0.28 W/kg (head)
Музыка и аудио
Музыка и аудио — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
Радио
  • FM radio
  • Stereo FM radio
  • RDS
Другие особенности
Другие особенности — характеристики Desire 520, I8530 Galaxy Beam.
ХарактеристикаDesire 520I8530 Galaxy Beam
Доп.
  • Sensors Accelerometer
  • proximity
  • Sensors Accelerometer
  • gyro
  • proximity
  • compass - Built-in nHD projector